A tiny laser beam could make computer memory 1,000 times faster

Un equipo de ingenieros de la Universidad de California‑San Diego ha desarrollado una nueva forma de almacenar información digital usando luz en lugar de campos magnéticos externos. Mediante un haz láser ultrarrápido y cuidadosamente modelado, lograron cambiar los estados magnéticos de un material, lo que permite escribir datos a velocidades potencialmente más de mil veces superiores a los métodos convencionales.

El haz se redujo a dimensiones mucho menores que en experimentos anteriores y se aplicó a una estructura magnética de nueve capas alternas de platino y cobalto, superando la limitación anterior de tres capas y sin requerir una polarización específica de la luz. La secuencia de pulsos ultrarrápidos calienta localmente el material, invierte su magnetización y amplía la zona invertida hasta estabilizar el nuevo estado.

A pesar del prometedor rendimiento, la integración del láser especializado en dispositivos electrónicos sigue siendo un reto, ya que los sistemas actuales no se pueden incorporar fácilmente a los chips. Los investigadores buscan materiales que respondan a láseres más compatibles y seguir reduciendo el tamaño del haz a unos pocos cientos de nanómetros, con el objetivo de crear memorias compactas, de alta densidad y de escritura ultra‑rápida.